חוקרים פיתחו שיטה חדשה לגידול רצועות אולטא-ארוכות וצרות של גרפן (חומר הנגזר מגרפיט) המשמשות כחצי מוליך לטובת תעשיית הננו-אלקטרוניקה. החוקרים, בין היתר מאוניברסיטת תל אביב, סבורים שהפיתוח עשוי לשמש בעבור יישומים טכנולוגיים רבים בהם התקני מיתוג מתקדמים, התקנים ספינטרוניים, ובעתיד אף לטובת מחשוב קוונטי.
המחקר נערך בהובלת צוות חוקרים בינלאומי, בהם: פרופ' מיכאל אורבך ופרופ' עודד הוד מבית הספר לכימיה באוניברסיטת תל אביב וכן מדענים מסין, דרום קוריאה ויפן. המחקר פורסם בכתב העת Nature.
פרופ' אורבך ופרופ' הוד הסבירו שגרפן הוא למעשה שכבה בודדת של גרפיט, הבנויה ככוורת של אטומי פחמן. הגרפן מתאים מאוד לשימושים טכנולוגיים, שכן מלבד החוזק המכני יוצא הדופן שלו, בשנים האחרונות התגלו תכונות מרתקות נוספות של מבנים העשויים ממספר קטן של שכבות גרפן מפותלות ובניהן הולכת-על, פולריזציה חשמלית ספונטאנית, הולכת חום נשלטת, ועל-סיכה מבנית – מצב שבו חומר מציג חיכוך ושחיקה זניחים.
אחת המגבלות של שימוש בגרפן לצרכים של תעשיית האלקטרוניקה היא העובדה שהוא חצי-מתכתי, כלומר מחד נשאי המטען יכולים לנוע בו בחופשיות, אך מאידך כמות נשאי המטען הזמינים להולכה בו היא נמוכה מאוד. מכאן שלא ניתן להשתמש בגרפן, לא כמתכת מוליכה וגם לא כחצי מוליך - המשמש את תעשיית השבבים האלקטרוניים.
עם זאת, אם גוזרים מתוך יריעת גרפן רחבה רצועה דקה וארוכה שלו, נשאי המטען הקוונטיים מתוחמים במימד הצר של היריעה, דבר שהופך אותם לחצי מוליכים. הדבר מאפשר שימוש בהם בהתקני מיתוג קוונטיים. נכון להיום קיימים מספר חסמים העומדים בפני שימוש ברצועות גרפן להתקנים ובניהם היכולת לגדל יריעות צרות, ארוכות ובעלות מבנה הדיר המבודדות מן הסביבה.
במחקר החדש החוקרים הצליחו לפתח שיטה לגידול קטליטי של רצועות גרפן צרות, ארוכות והדירות היישר בין שכבות החומר המבודד בורון-ניטריד הקסגונאלי, וכן להדגים התקני מיתוג קוונטיים בעלי ביצועי שיא המבוססים על הרצועות שגודלו.
מנגנון הגידול הייחודי נחשף באמצעות חשבונות דינמיקה מולקולארית מתקדמים המפותחים בקבוצות החוקרים מישראל. חשבונות אלו הראו כי חיכוך אולטרא-נמוך בכיווני גדילה מסויימים בתוך גביש הבורון-ניטריד מכתיב את הדירות מבנה הרצועה, מאפשר את גידולה לאורכים גדולים ומהווה סביבה נקייה ומבודדת לרצועה שגדלה.
פרופ' אורבך ופרופ' הוד מסכמים: "החשיבות של הפיתוח החדש היא בכך שלראשונה ניתן יהיה לגדל ולייצר התקני מיתוג ננו-אלקטרוניים מבוססי פחמן ישירות בתוך מטריצה מבודדת. התקנים מסוג זה עתידים לשמש יישומים טכנולוגיים רבים בהם מערכות אלקטרוניות, ספינטרוניות ואף התקני מחשוב קוונטי".
